Kiểm tra Chương 4: Vật liệu bán dẫn

40 questions
40 min
Answer key

Exam info

Subject
Vật lý bán dẫn
Exam type
University
Questions
40
Duration
40 min
Answers
✓ With explanations

Questions (40)

  1. Q 1.

    Silicon (Si) và Germanium (Ge) thuộc nhóm mấy trong bảng tuần hoàn và có bao nhiêu electron hóa trị?

    • A.

      Nhóm IIIA, có 3 electron hóa trị.

    • B.

      Nhóm IVA, có 4 electron hóa trị.

    • C.

      Nhóm VA, có 5 electron hóa trị.

    • D.

      Nhóm IVA, có 2 electron hóa trị.

  2. Q 2.

    Ở trạng thái rắn, các nguyên tử Si sắp xếp theo cấu trúc mạng tinh thể nào?

    • A.

      Lập phương tâm khối.

    • B.

      Lập phương tâm mặt.

    • C.

      Hình kim cương ba chiều.

    • D.

      Lục giác xếp chặt.

  3. Q 3.

    Tại sao ở nhiệt độ thấp, bán dẫn tinh khiết gần như không dẫn điện?

    • A.

      Vì tất cả electron đều nằm trong vùng dẫn.

    • B.

      Vì các electron hóa trị đều bị giữ chặt trong liên kết cộng hóa trị.

    • C.

      Vì mạng tinh thể bị phá vỡ.

    • D.

      Vì khe năng lượng biến mất.

  4. Q 4.

    Khi nhiệt độ tăng, trong bán dẫn tinh khiết xảy ra hiện tượng gì?

    • A.

      Electron từ vùng dẫn quay về vùng hóa trị.

    • B.

      Một số liên kết cộng hóa trị bị phá vỡ, tạo ra electron tự do và lỗ trống.

    • C.

      Chỉ có lỗ trống được tạo ra, không có electron tự do.

    • D.

      Tất cả electron trở thành electron tự do.

  5. Q 5.

    Trong bán dẫn, “lỗ trống” (hole) được hiểu là gì?

    • A.

      Một electron bị mất năng lượng.

    • B.

      Một nguyên tử tạp chất thiếu electron.

    • C.

      Chỗ trống để lại trong liên kết cộng hóa trị khi một electron rời đi.

    • D.

      Một hạt mang điện âm.

  6. Q 6.

    Vùng năng lượng chứa các electron có khả năng tham gia dẫn điện được gọi là gì?

    • A.

      Vùng hóa trị.

    • B.

      Vùng cấm.

    • C.

      Vùng dẫn.

    • D.

      Vùng năng lượng thấp nhất.

  7. Q 7.

    Khe năng lượng (band gap) của Silicon (Si) xấp xỉ bao nhiêu?

    • A.

    • B.

    • C.

    • D.

  8. Q 8.

    Vật liệu có khe năng lượng được xếp vào loại nào?

    • A.

      Chất dẫn điện.

    • B.

      Bán dẫn.

    • C.

      Chất cách điện.

    • D.

      Siêu dẫn.

  9. Q 9.

    Trong bán dẫn tinh khiết (intrinsic), mối quan hệ giữa nồng độ electron tự do (n) và nồng độ lỗ trống (p) như thế nào?

    • A.

    • B.

    • C.

    • D.

      Không xác định được.

  10. Q 10.

    Bán dẫn pha tạp (extrinsic) khác bán dẫn tinh khiết ở điểm cơ bản nào?

    • A.

      Có cấu trúc mạng tinh thể khác.

    • B.

      Được thêm một lượng nhỏ nguyên tử tạp chất để thay đổi nồng độ hạt tải.

    • C.

      Có khe năng lượng bằng 0.

    • D.

      Chỉ dẫn điện ở nhiệt độ cao.

  11. Q 11.

    Để tạo ra bán dẫn loại n, người ta pha tạp chất thuộc nhóm nào vào Silicon?

    • A.

      Nhóm III (như Bo, Nhôm).

    • B.

      Nhóm IV (như Carbon).

    • C.

      Nhóm V (như Phosphor, Arsenic).

    • D.

      Nhóm II (như Kẽm).

  12. Q 12.

    Trong bán dẫn loại p, hạt tải điện chủ yếu là gì?

    • A.

      Electron tự do.

    • B.

      Lỗ trống.

    • C.

      Ion dương.

    • D.

      Electron và lỗ trống với số lượng bằng nhau.

  13. Q 13.

    Nguyên tử tạp chất nào sau đây khi pha vào Si sẽ tạo ra bán dẫn loại p?

    • A.

      Phosphor (P).

    • B.

      Arsenic (As).

    • C.

      Bo (B).

    • D.

      Antimon (Sb).

  14. Q 14.

    So với bán dẫn tinh khiết, bán dẫn pha tạp có độ dẫn điện như thế nào?

    • A.

      Thấp hơn.

    • B.

      Bằng nhau.

    • C.

      Cao hơn nhiều.

    • D.

      Phụ thuộc vào nhiệt độ, không so sánh được.

  15. Q 15.

    Độ dẫn điện của bán dẫn thay đổi như thế nào khi nhiệt độ tăng?

    • A.

      Giảm xuống.

    • B.

      Không thay đổi.

    • C.

      Tăng lên.

    • D.

      Lúc tăng lúc giảm thất thường.

  16. Q 16.

    Hiệu ứng Hall được sử dụng để xác định điều gì ở bán dẫn?

    • A.

      Độ rộng khe năng lượng.

    • B.

      Loại bán dẫn (n hay p).

    • C.

      Nhiệt độ nóng chảy.

    • D.

      Hằng số điện môi.

  17. Q 17.

    Trong mạng tinh thể Silicon, mỗi nguyên tử Si liên kết cộng hóa trị với bao nhiêu nguyên tử lân cận?

    • A.

      2

    • B.

      3

    • C.

      4

    • D.

      6

  18. Q 18.

    Điều kiện để một electron từ vùng hóa trị nhảy lên vùng dẫn là gì?

    • A.

      Nhiệt độ giảm xuống 0 K.

    • B.

      Nhận năng lượng ít nhất bằng khe năng lượng .

    • C.

      Áp suất cao.

    • D.

      Pha thêm tạp chất nhóm III.

  19. Q 19.

    Phát biểu nào sau đây đúng về bán dẫn tinh khiết ở nhiệt độ phòng?

    • A.

      Không có hạt tải điện nào.

    • B.

      Chỉ có electron tự do, không có lỗ trống.

    • C.

      Mật độ electron tự do bằng mật độ lỗ trống.

    • D.

      Độ dẫn điện cao hơn bán dẫn pha tạp.

  20. Q 20.

    Khi pha tạp chất nhóm V vào Si, electron dư thứ 5 của tạp chất sẽ nằm ở đâu?

    • A.

      Trong vùng hóa trị.

    • B.

      Ở mức năng lượng tạp chất sát đáy vùng dẫn, dễ dàng trở thành electron tự do.

    • C.

      Bị giữ lại trong liên kết cộng hóa trị.

    • D.

      Kết hợp với lỗ trống có sẵn.

  21. Q 21.

    Trong bán dẫn loại n, hạt tải đa số là electron. Vậy hạt tải thiểu số là gì?

    • A.

      Electron.

    • B.

      Lỗ trống.

    • C.

      Ion dương tạp chất.

    • D.

      Không có hạt tải thiểu số.

  22. Q 22.

    Quá trình dẫn điện trong bán dẫn tinh khiết được gọi là gì?

    • A.

      Dẫn điện ngoại sinh.

    • B.

      Dẫn điện nội sinh.

    • C.

      Dẫn điện ion.

    • D.

      Dẫn điện siêu dẫn.

  23. Q 23.

    Tại sao bán dẫn pha tạp có độ dẫn điện cao hơn bán dẫn tinh khiết?

    • A.

      Vì khe năng lượng giảm.

    • B.

      Vì mật độ hạt tải tăng lên đáng kể.

    • C.

      Vì mạng tinh thể trở nên hoàn hảo hơn.

    • D.

      Vì nhiệt độ hoạt động giảm.

  24. Q 24.

    Nguyên tố nào sau đây thường được dùng để pha tạp tạo bán dẫn loại n?

    • A.

      Nhôm (Al).

    • B.

      Bo (B).

    • C.

      Phosphor (P).

    • D.

      Gali (Ga).

  25. Q 25.

    Khi pha Bo (nhóm III) vào Si, điều gì xảy ra với cấu trúc liên kết?

    • A.

      Xuất hiện một electron tự do.

    • B.

      Hình thành một liên kết cộng hóa trị thiếu electron, tạo ra lỗ trống.

    • C.

      Mạng tinh thể bị phá hủy.

    • D.

      Tất cả electron trở nên tự do.

  26. Q 26.

    Vật liệu nào sau đây có khe năng lượng lớn hơn 3 eV và được coi là chất cách điện?

    • A.

      Silicon.

    • B.

      Germanium.

    • C.

      Thủy tinh.

    • D.

      Đồng.

  27. Q 27.

    Ở nhiệt độ 0 K, bán dẫn tinh khiết có tính chất gì?

    • A.

      Dẫn điện tốt như kim loại.

    • B.

      Trở thành chất cách điện.

    • C.

      Có điện trở bằng 0.

    • D.

      Chỉ dẫn điện khi có ánh sáng.

  28. Q 28.

    Trong bán dẫn loại n, nồng độ electron (n) so với nồng độ lỗ trống (p) thỏa mãn điều gì?

    • A.

    • B.

    • C.

    • D.

  29. Q 29.

    Khi chiếu ánh sáng thích hợp vào bán dẫn, độ dẫn điện thay đổi thế nào?

    • A.

      Giảm vì electron mất năng lượng.

    • B.

      Tăng lên do tạo thêm cặp electron - lỗ trống.

    • C.

      Không đổi vì ánh sáng không ảnh hưởng.

    • D.

      Lúc tăng lúc giảm tùy cường độ.

  30. Q 30.

    Hiệu ứng Hall trong bán dẫn loại p cho điện áp Hall có dấu gì?

    • A.

      Âm.

    • B.

      Dương.

    • C.

      Bằng 0.

    • D.

      Không xác định được.

  31. Q 31.

    Cặp electron - lỗ trống trong bán dẫn tinh khiết được sinh ra chủ yếu do tác nhân nào?

    • A.

      Pha tạp chất.

    • B.

      Năng lượng nhiệt hoặc ánh sáng.

    • C.

      Điện trường ngoài.

    • D.

      Áp suất cơ học.

  32. Q 32.

    Vùng cấm (band gap) trong chất bán dẫn là gì?

    • A.

      Vùng chứa đầy electron tự do.

    • B.

      Khoảng năng lượng giữa vùng hóa trị và vùng dẫn không có trạng thái electron.

    • C.

      Vùng chứa các lỗ trống.

    • D.

      Vùng năng lượng của tạp chất.

  33. Q 33.

    Vì sao bán dẫn được sử dụng rộng rãi trong các linh kiện điện tử?

    • A.

      Vì chúng có độ dẫn điện cố định, không thay đổi.

    • B.

      Vì có thể điều khiển tính chất điện thông qua pha tạp và tác động bên ngoài.

    • C.

      Vì chúng rẻ hơn kim loại.

    • D.

      Vì chúng dẫn điện tốt hơn kim loại.

  34. Q 34.

    Khi pha tạp chất donor vào bán dẫn, mức năng lượng của tạp chất nằm ở đâu?

    • A.

      Sâu trong vùng hóa trị.

    • B.

      Nằm trong vùng cấm, sát đáy vùng dẫn.

    • C.

      Nằm trong vùng dẫn.

    • D.

      Trùng với đỉnh vùng hóa trị.

  35. Q 35.

    Điểm khác biệt cơ bản giữa dẫn điện nội sinh và dẫn điện ngoại sinh là gì?

    • A.

      Dẫn điện nội sinh xảy ra ở nhiệt độ thấp, ngoại sinh ở nhiệt độ cao.

    • B.

      Dẫn điện nội sinh dựa vào hạt tải sinh ra từ mạng tinh thể, ngoại sinh dựa vào hạt tải từ tạp chất.

    • C.

      Dẫn điện nội sinh chỉ có lỗ trống, ngoại sinh chỉ có electron.

    • D.

      Dẫn điện nội sinh cần ánh sáng, ngoại sinh không cần.

  36. Q 36.

    Trong bán dẫn, lỗ trống di chuyển như thế nào khi có điện trường?

    • A.

      Ngược chiều điện trường, giống như hạt mang điện dương.

    • B.

      Cùng chiều điện trường, giống như electron.

    • C.

      Không di chuyển vì là vị trí cố định.

    • D.

      Di chuyển vuông góc với điện trường.

  37. Q 37.

    Khi nhiệt độ tăng, điện trở của bán dẫn thay đổi ra sao?

    • A.

      Tăng.

    • B.

      Giảm.

    • C.

      Không đổi.

    • D.

      Lúc đầu tăng sau đó giảm.

  38. Q 38.

    Một trong những ứng dụng quan trọng của tiếp xúc p-n là gì?

    • A.

      Chế tạo điện trở thuần.

    • B.

      Chế tạo diode chỉnh lưu.

    • C.

      Chế tạo tụ điện.

    • D.

      Chế tạo cuộn cảm.

  39. Q 39.

    Khe năng lượng của Germanium (Ge) vào khoảng bao nhiêu?

    • A.

    • B.

    • C.

    • D.

  40. Q 40.

    Phát biểu nào sau đây là đúng về bán dẫn pha tạp?

    • A.

      Pha tạp làm thay đổi cấu trúc mạng tinh thể cơ bản.

    • B.

      Bán dẫn pha tạp có độ dẫn điện thấp hơn bán dẫn tinh khiết.

    • C.

      Bán dẫn loại n có nồng độ lỗ trống lớn hơn nồng độ electron.

    • D.

      Có thể tạo ra bán dẫn mà hạt tải đa số là electron hoặc lỗ trống tùy loại tạp chất.

Answers and explanations are in mode.